紫外負(fù)性光刻膠
負(fù)性光刻的基本特征是當(dāng)曝光后，光刻膠會因交聯(lián)而變得不可溶解并會硬化。一旦硬化，交聯(lián)的光刻膠就不能在溶劑中被洗掉，因為光刻膠上的圖形與投影掩膜版上的圖形相反。負(fù)性光刻膠是最早應(yīng)用在半導(dǎo)體光刻工藝中的光刻膠。
新越半導(dǎo)體可提供多種規(guī)格型號的紫外負(fù)性光刻膠，具體型號請咨詢客服。
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類型
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型號
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厚度/um
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分辨率/um
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作用光譜
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工藝應(yīng)用
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負(fù)性光刻膠
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SU-8 GM 10系列
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0.5-300
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高深寬比
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g-line,broad band
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廣泛應(yīng)用于MEMS工藝、微流控、光電器件等領(lǐng)域
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SU-8 2000系列/3000系列
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0.5-650
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高深寬比
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i-line
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適用于深硅刻蝕工藝和濕法腐蝕工藝
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FT系列
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0.5-150
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高深寬比
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i-line
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適用于刻蝕工藝和lift off工藝
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ma-N 400系列/1400系列
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0.5-7.5
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0.5
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broad band
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適用于RIE/plating工藝
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nXT系列
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3-120
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高深寬比
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broad band
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以上厚度均為單次涂覆厚度；分辨率一般為極限分辨率。
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